Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до норм 12 нм
Компания Everspin Technologies сообщила о дополнении соглашения с GlobalFoundries (GF), предусматривающего совместную разработку магниторезистивной памяти с переносом момента (Spin-Transfer Torque MRAM или STT-MRAM). Компании Everspin и GF выступали партнерами по разработке и производству STT-MRAM по нормам 40 нм, 28 нм и 22 нм. Дополнение к соглашению продлевает его на этап 12 нм.
Сейчас GF занимается производством дискретных решений STT-MRAM с использованием 40-нанометрового и 28-нанометрового техпроцессов, включая микросхемы плотностью 1 Гбит с интерфейсом DDR4.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- 28 лет спустя. Microsoft хоронит Visual Basic
- Цены на умные часы TAG Heuer Connected новой серии начинаются с 1800 долларов
- Объектив The Light Bender с креплением Sony E оценен в 39 000 долларов
- Apple открывает все свои фирменные магазины в Китае
- Осторожно с апдейтами. Свежее обновление доводит Windows 10 до «синего экрана смерти»
- Xiaomi Mi 10 Pro подешевеет за счет уменьшения объема памяти
- Недорогой 5G-смартфон Vivo появился в розничных магазинах с расширенной гарантией
- 5000 мА·ч, 48 Мп, 18 Вт и Helio G80. Таким оказался недорогой смартфон Realme 6i
- Oppo Find X2 Pro стал хитом продаж несмотря на высокую цену
- Meizu 17: инновации в материалах, камере и не только