Компания SK Hynix сообщила о разработке микросхемы DRAM DDR4 плотностью 8 Гбит, рассчитанной на выпуск по технологии 1Ynm
Компания SK Hynix сообщила о разработке микросхемы оперативной памяти DDR4 (Double Data Rate 4) плотностью 8 Гбит, рассчитанной на выпуск по технологии 1Ynm. По сравнению с подобными изделиями, выпускаемыми по технологии предыдущего поколения 1Xnm, производительность удалось увеличить на 20%, а потребление энергии снизить более чем на 15%.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Свежий рейтинг суперкомпьютеров TOP500: наступление Китая и первая система на основе китайских версий процессоров AMD Epyc
- Начат прием заказов на промышленные 3D-принтеры ExOne X1 25PRO, «печатающие» из металла
- Смартфон Honor 10 Lite X Supreme предстал на первом изображении
- Появились изображения Samsung Galaxy S9 и S10 в белом-голубом цвете
- Asus готовит первый планшет на Chrome OS и смартфон Zenfone Max Pro (M2)
- Аналитики Juniper Research полагают, что к 2023 году платежи в сетях IoT достигнут 410 миллиардов долларов
- Представлен смартфон Poptel P60: камера с ИИ, поддержка NFC в Google Pay, беспроводная зарядка, IP68 и MIL-STD 810
- Видеокарта ASRock Radeon RX 590 Phantom Gaming X OC появилась на первых изображениях
- Samsung Display начинает производство 65-дюймовых видеостен разрешением UHD
- В недрах официального сайта HIS нашли информацию о видеокарте Radeon RX 590 IceQ X²