Компания Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND
Компания Toshiba Memory объявила о выпуске новой памяти для систем хранения (Storage Class Memory или SCM). Память называется XL-FLASH. Она основана на технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D, в которой каждая ячейка хранит один бит. Как утверждается, низкая задержка и высокая производительность делают память XL-FLASH подходящей для использования в центрах обработки данных и корпоративных хранилищах. Поставки образцов начнутся в сентябре, а массовое производство ожидается в 2020 году.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Пластик — не приговор. Смартфон Samsung Galaxy A50 в целом прошёл тесты на прочность
- Технологии AMD будут использованы в GPU Samsung через два года
- Галерея дня: умные часы Samsung Galaxy Watch Active 2 в двух размерах и с разными материалами ремешков
- Huawei не ждёт больших продаж смартфонов с 5G даже в следующем году
- Samsung обновила до Android Pie бюджетный смартфон из 2017 года
- Без джейлбрейка и криптовалюты. У кредитной карты Apple Card есть ряд условий и ограничений
- История о 200-долларовых видеокартах Intel — лишь следствие проблем с переводом
- Флагманский смартфон OnePlus 7T впервые позирует на живых фото
- Redmi Note 8 с 64-мегапиксельной камерой представят 7 августа
- P600, P700, P800, P900 и P1000 — перспективные смартфоны Huawei