Железо и софт

Компания Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND


Компания Toshiba Memory объявила о выпуске новой памяти для систем хранения (Storage Class Memory или SCM). Память называется XL-FLASH. Она основана на технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D, в которой каждая ячейка хранит один бит. Как утверждается, низкая задержка и высокая производительность делают память XL-FLASH подходящей для использования в центрах обработки данных и корпоративных хранилищах. Поставки образцов начнутся в сентябре, а массовое производство ожидается в 2020 году.

Компания Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND


СМОТРИ ТАКЖЕ

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *