Новая разработка Samsung позволит создавать 24-гигабайтные микросхемы HBM2
Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о том, что первой в отрасли разработала 12-слойную технологию 3D-TSV. Речь о технологии упаковки микросхем памяти, которая позволяет разместить в одном стеке 12 микросхем DRAM.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Российские хакеры пошли дальше использования уязвимостей и модифицируют Chrome и Firefox для отслеживания зашифрованного трафика пользователей
- Представлена видеокарта Radeon RX 5500. Она намного быстрее GeForce GTX 1650 и Radeon RX 480
- Особенный смартфон. Живые фото новинки Smartisan
- Samsung Galaxy S11 представят 18 февраля
- Компания Wisechip выпустила первый в мире гиперфлуоресцентный дисплей OLED
- Redmi Note 7 Pro, Redmi K20 и Redmi K20 Pro серьезно подешевели
- Аналитики Digitimes Research назвали факторы, которые в ближайшие годы вернут рынок смартфонов к росту
- В России предлагают противоударный iPhone 11 Pro с модифицированной камерой почти за 2 миллиона рублей
- Samsung выпустила в России бюджетник с тройной камерой по цене Redmi Note 7
- Не так уж прост. Motorola One Macro будет доступен с нормальным объемом памяти