Железо и софт

Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями


Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска твердотельного накопителя объемом 250 ГБ, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями (производитель использует обозначение 1xx). В накопителе с интерфейсом SATA используются микросхемы плотностью 256 Гбит, способные хранить три бита в каждой ячейке.

Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями


СМОТРИ ТАКЖЕ

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *