Samsung Electronics выпускает первый твердотельный накопитель, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска твердотельного накопителя объемом 250 ГБ, в котором используется флеш-память V-NAND шестого поколения с более чем 100 слоями (производитель использует обозначение 1xx). В накопителе с интерфейсом SATA используются микросхемы плотностью 256 Гбит, способные хранить три бита в каждой ячейке.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Официальный постер EMUI 10 подтверждает дату анонса оболочки
- Компилятор Huawei Ark стал временно доступен для свободной загрузки
- Траектории спотовых и контрактных цены на DRAM разошлись
- Самые качественные изображения Huawei Mate 30 демонстрируют неожиданные моменты в дизайне
- Идентичные по размерам, но различающиеся по массе почти вдвое: представлены системы охлаждения Cryorig C7 RGB и C7 G
- Производитель портативных аккумуляторов Xiaomi выпустил мощный фонарик
- Минус 8 млн iPhone. Такое падение продаж ожидается в США
- Huawei P30 и P30 Pro ощутимо подешевели
- Твердотельные накопители Western Digital Ultrastar DC SN640 и SN340 с поддержкой NVMe предназначены для центров обработки данных
- LG дразнит анонсом двухэкранного смартфона