Samsung уже проводит исследования, необходимые для создания памяти NAND с числом слоев более 500
Samsung планирует в 2020 году начать серийный выпуск и поставки кристаллов 128-слойной флеш-памяти TLC NAND плотностью 256 и 512 Гбит, в которых найдет применение технология V-NAND шестого поколения. Эти кристаллы будут поддерживать скорость передачи данных до 1200 Мбит/с.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Специалистами Toshiba разработана технология, позволяющая точно выявлять 13 типов рака по капле крови
- Первый неубиваемый 5G-смартфон получит невероятно быструю платформу
- К 2029 году парк аккумуляторных электромобилей превысит 100 миллионов штук
- Пользователей новейшей оболочки Huawei EMUI 10 уже более 1 млн
- Android 10 для флагманов Samsung может задержаться
- Процессорная система охлаждения SilentiumPC Fortis 3 RGB HE1425 рассчитана на процессоры с TDP 220 Вт
- Дискретная видеокарта Intel интригует непонятной конфигурацией и большим объёмом памяти
- 32-ядерный процессор AMD Ryzen Threadripper 3970X разогнали до 5,72 ГГц
- Вот почему у Tesla Cybertruck во время испытания треснуло стекло
- Выбрав оборудование Huawei для сетей 5G, Канада лишится доступа к американским разведданным