Снова первая: у Samsung готова первая в отрасли память DRAM третьего поколения 10-нанометрового класса
Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке памяти DRAM, объявила о разработке третьего поколения 10-нанометрового техпроцесса, который известен под обозначением 1z нм. Первым в отрасли южнокорейский производитель представил память DRAM DDR4 плотностью 8 Гбит, изготавливаемую по нормам 1z нм. Отметим, что это произошло всего через 16 месяцев с момента начала массового производства кристаллов DDR4 такой же плотности по нормам 1y нм, и производитель смог обойтись без перехода на использование литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), снова отодвинув границу масштабирования DRAM.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Ответ на конкретное сообщение. Facebook Messenger получил функцию, которая давно есть у других мессенджеров
- BMW обещает существенно превзойти конкурентов по автономности электромобилей
- Живое видео: камерофон Huawei P30 во включенном состоянии показан со всех сторон
- TAG Heuer Connected Modular Golf Edition — умные часы с процессором Intel и ценой 1850 долларов
- Слуховой аппарат Oticon Opn Play предназначен для слабослышащих детей
- Качественные рендеры Huawei Enjoy 9S
- Apple удалось привлечь The Wall Street Journal в свой грядущий новостной сервис
- Больше никаких секретов. Huawei открыла странички предзаказа Huawei P30 и P30 Pro
- Фото смартфона Meizu 16s подтверждает очень тонкие рамки, «симметричный» дизайн и отсутствие вырезов или отверстий в экране
- Apple выдвинула новые требования к приложениям для iPhone, iPad и Apple Watch