Уже через два года Samsung начнёт производство полупроводниковой продукции по техпроцессу 3 нм
Как сообщает источник, компания Samsung рассказала о планах на развитие своих полупроводниковых технологий.
Уже в 2021 году компания намерена начать производство продукции с использованием трёхнанометрового техпроцесса с технологией GAAFET (Gate All Around FET). Технология GAA находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Новые смартфоны OnePlus и Oppo могут получить поддержку беспроводной зарядки
- Первое фото OnePlus 7
- Видео дня: Xiaomi Redmi Note 7 опустили в кувшин с водой…
- Норвегия может отказаться от оборудования Huawei при развертывании сети 5G
- Зарядное устройство Satechi 75W Dual TYPE-C PD Travel Charger располагает двумя портами USB-A и парой USB-C
- Смартфоны Samsung Galaxy S10 могут первыми на рынке получить оперативную память LPDDR5
- Наконец-то стартовало производство беспроводной зарядки Apple AirPower
- Tech21 Evo Type — чехол с клавиатурой для... смартфона Google Pixel 3 XL
- Новое изображение iPhone XI Max и iPhone XR 2019 демонстрирует уменьшенную монобровь
- Huawei снова лихорадит: в Польше арестован топ-менеджер по подозрению в шпионаже, старший вице-президент канадского подразделения уходит в отставку