У Samsung готова память HBM2E
Компания Samsung Electronics воспользовалась конференцией Nvidia GTC 2019, чтобы объявить о выпуске новой памяти с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory) — HBM2E. Как утверждается, эта память обеспечит «высочайшие уровни производительности DRAM». Она предназначена для суперкомпьютеров следующего поколения, центров обработки данных, графических систем и приложений искусственного интеллекта.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Емкость аккумулятора игрового смартфона Nubia Red Magic 3 превышает 5000 мА•ч
- Новые данные об успехе Samsung Galaxy S10
- Opera для Android получает бесплатный VPN
- Дорогу молодым. Смартфон Xiaomi Mi 8 Transparent Edition исчез из магазинов
- Системные платы с чипсетами X370 и X470 уже начали получать обновления BIOS с поддержкой CPU Ryzen 3000
- Motorola One Vision с 48-мегапиксельной камерой получит обновление до Android 11 (Android R)
- Вытянутый Sony Xperia 4 заменит линейку Compact. Сравнительное изображение
- Парад новинок: завтра Apple может представить злополучную зарядную станцию AirPower, а послезавтра — новый футляр для AirPods
- Новые планшеты Apple iPad mini и iPad Air не получили стилус Pencil 2 из-за дороговизны технологии индуктивной зарядки
- Правообладатели подали в суд на производителя велотренажеров