Специалисты Mitsubishi Electric и Токийского университета придумали, как повысить надежность мощных полупроводниковых приборов на основе карбида кремния
Компания Mitsubishi Electric на этой неделе рассказала о разработке, выполненной совместно с Токийским университетом. Партнеры представили «абсолютно новый механизм повышения надежности силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC)».
Механизм построен на подтверждении предположения, что сера, внедренная под границу между оксидным изолятором затвора и каналом SiC, захватывает часть электронов из протекающего через прибор тока, увеличивая пороговое напряжение. При этом сопротивление в открытом состоянии не уменьшается. Ранее считалось, что сера не является подходящим элементом для использования в силовых полупроводниковых приборах SiC. Ожидается, что разработка приведет к созданию более надежных элементов силовой электроники, обладающих высокой устойчивостью к электромагнитным помехам, которые, как известно, вызывают сбои в работе систем.
- Japan Display сокращает выпуск ЖК-дисплеев для смартфонов Apple iPhone XR
- Xiaomi представила легкую водонепроницаемую куртку за $43 с инфракрасным обогревателем, питающимся от мобильного аккумулятора
- В Калифорнии установили суперсовременные зарядные станции для электромобилей, которыми никто не может воспользоваться
- Новая прошивка для игрового смартфона Razer Phone 2 улучшает камеру и звук
- Смартфон Xiaomi Mi A1 получил финальную версию Android Pie
- В следующем квартале Tamron выпустит новый полнокадровый объектив 70-200mm f/2,8 с креплением Sony E
- Audi за пять лет вложит в электрические и самоуправляемые автомобили около 14 млрд долларов
- Intel ищет альтернативу технологии CMOS
- Игровой смартфон Nubia Red Magic Mars появится в Европе в начале 2019
- Покупателям первых 5G-смартфонов придется расстаться с кругленькой суммой