У SK Hynix готова память HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с
Компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью HBM2 пропускная способность увеличена на 50% — до 460 ГБ/с — поскольку скорость в расчете на одну линию данных достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий 1024.
В стеке TSV может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, так что максимальный объем памяти увеличен вдвое — с 8 до 16 ГБ.
СМОТРИ ТАКЖЕ
- Новый бестселлер. Samsung представила официально смартфон Galaxy A10s
- Samsung Galaxy Note 10+ 5G — лучший камерофон в мире по версии DxOMark
- Гибридные процессоры AMD Ryzen 4000 стали на шаг ближе к выходу
- Вслед за Ice Lake: Intel может скоро представить 10-нанометровые CPU Lakefield для бюджетных ультрабуков
- AMD не собирается сворачивать производство референсных видеокарт Radeon RX 5700 и Radeon RX 5700 XT
- Самая быстрая память UFS 3.0. Смартфон Samsung Galaxy Note10 заметно превзошёл OnePlus 7 Pro и Galaxy Fold
- SSD Samsung PM1733: скорость чтения 8,0 ГБ/с, производительность 1 500 000 IOPS, объем — до 30,72 ТБ
- Xiaomi готовит новый электровелосипед: автономность 75 км и цена всего $285
- Фотогалерея дня: дрон DJI Mavic Mini
- Портативная колонка Sonos автоматически настраивает свой звук