В памяти Samsung V-NAND следующего поколения будет 160 слоев
Осенью прошлого года компания Samsung Electronics пообещала, что в 2020 году будет начат серийный выпуск и поставки кристаллов 128-слойной флеш-памяти TLC NAND плотностью 256 и 512 Гбит, в которых найдет применение технология V-NAND шестого поколения. По сообщению источника, южнокорейский производитель уже разрабатывает флеш-память V-NAND седьмого поколения. В ней будет насчитываться не менее 160 слоев.

СМОТРИ ТАКЖЕ
- Самые необычные полностью беспроводные наушники готовы к выходу на рынок. Microsoft Surface Earbuds прошли сертификацию FCC
- Редкий случай нетипичного дизайна смартфона. Новые флагманы Meizu представят 22 апреля
- Геймерский смартфон без топовой платформы Qualcomm. Nubia Play порадует 144-герцевым экраном, но не порадует производительностью
- Когда друзей много. WhatsApp запустит массовые голосовые и видеозвонки
- Ожидающие выхода Xiaomi Mi Band 5 могут вздохнуть с облегчением. Xiaomi не разорвала отношения с Huami
- Эти процессоры Intel мы потеряли. Появилась информация об отменённых CPU Cannon Lake
- Huawei приглашает опробовать большое обновление EMUI 10.1 на Huawei P30 и Mate 30
- Silicon Power называет внешний жесткий диск A62 игровым
- Акции Nokia подскочили после сообщения о возможном поглощении компании
- Дети в шоке. У сверхпопулярного TikTok внедряется родительский контроль

