В памяти Samsung V-NAND следующего поколения будет 160 слоев

Осенью прошлого года компания Samsung Electronics пообещала, что в 2020 году будет начат серийный выпуск и поставки кристаллов 128-слойной флеш-памяти TLC NAND плотностью 256 и 512 Гбит, в которых найдет применение технология V-NAND шестого поколения. По сообщению источника, южнокорейский производитель уже разрабатывает флеш-память V-NAND седьмого поколения. В ней будет насчитываться не менее 160 слоев.

---

• Самые необычные полностью беспроводные наушники готовы к выходу на рынок. Microsoft Surface Earbuds прошли сертификацию FCC
• Редкий случай нетипичного дизайна смартфона. Новые флагманы Meizu представят 22 апреля
• Геймерский смартфон без топовой платформы Qualcomm. Nubia Play порадует 144-герцевым экраном, но не порадует производительностью
• Когда друзей много. WhatsApp запустит массовые голосовые и видеозвонки
• Ожидающие выхода Xiaomi Mi Band 5 могут вздохнуть с облегчением. Xiaomi не разорвала отношения с Huami
• Эти процессоры Intel мы потеряли. Появилась информация об отменённых CPU Cannon Lake
• Huawei приглашает опробовать большое обновление EMUI 10.1 на Huawei P30 и Mate 30
• Silicon Power называет внешний жесткий диск A62 игровым
• Акции Nokia подскочили после сообщения о возможном поглощении компании
• Дети в шоке. У сверхпопулярного TikTok внедряется родительский контроль