Samsung рассчитывает в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс

Компания Samsung намерена в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс. Для этого техпроцесса придется существенно изменить конструкцию транзистора, фактически создав транзистор нового поколения.

Сейчас специалисты Samsung работают над технологией Gate-All-Around FET (GAAFET), которая обеспечит намного лучшее управление каналом и предотвратит утечку при уменьшении размеров элементов. Однако для 3 нм необходимо сделать следующий шаг. Южнокорейский производитель рассказал о соответствующей разработке под названием Multi Bridge Channel FET или MBCFET. Именно она будет использоваться в 3-нанометровых микросхемах.

---

• Xiaomi представила двухрежимную мини-клавиатуру MIIIW Air 85 Bluetooth на своей платформе коллективного финансирования
• У Google готова собственная SoC для смартфонов и хромбуков
• Nokia 9.3 PureView приписывают и флагманский экран, а не только камеру
• Intel снова платит производителям ПК, чтобы они не использовали процессоры AMD
• Представлены твердотельные накопители Team Group T-Force Cardea Zero Z330 и Z340
• Битва камер OnePlus 8 Pro, Samsung Galaxy S20 Ultra и iPhone 11 Pro Max. Кто лучше: убийца флагманов или флагманы?
• Умные часы Honor MagicWatch 2 обзавелись функцией, которой нет у Apple Watch
• Гибкие дисплеи BOE с подэкранными сканерами Qualcomm 3D Sonic появятся в смартфонах уже во второй половине 2020
• Silicon Power называет PC60 своим самым тонким портативным твердотельным накопителем
• Просто добавь NFC. Samsung выпустила в России двух долгоиграющих «монстров» в улучшенном виде